Три человека, представлявшие три частные американские корпорации, решили три фундаментальные проблемы, препятствовавшие созданию интегральных схем. Джек Килби из Texas Instruments запатентовал принцип объединения, создал первые, несовершенные, прототипы ИС и довёл их до серийного производства. Курт Леговец из Sprague Electric Company изобрёл способ электрической изоляции компонентов, сформированных на одном кристалле полупроводника (изоляцию p- n- переходом (англ. Роберт Нойс из Fairchild Semiconductor изобрёл способ электрического соединения компонентов ИС (металлизациюалюминием) и предложил усовершенствованный вариант изоляции компонентов на базе новейшей планарной технологии. Жана Эрни (англ. 2. Джея Ласта (англ. Jay Last) создала на Fairchild Semiconductor первую работоспособную полупроводниковую ИС по идеям Нойса и Эрни.
Texas Instruments, владевшая патентом на изобретение Килби, развязала против конкурентов патентную войну, завершившуюся в 1. Ранние логические ИС упомянутых серий строились буквально из стандартных компонентов, размеры и конфигурации которых были заданы технологическим процессом.
Схемотехники, проектировавшие логические ИС конкретного семейства, оперировали одними и теми же типовыми диодами и транзисторами. В 1. 96. 1—1. 96.
Данная работа из раздела Радиоэлектроника, работа Шифраторы, дешифраторы, триггеры на сайте реферат плюс. К ним относятся суммирующие схемы, шифраторы и дешифраторы, мультиплексоры и демультиплексоры. Карту Для Террарии 1 1 2 Со Всеми Вещами. Задержку выполняет D-триггер.
В конце 1. 96. 2 г. Sylvania выпустила в продажу первое семейство разработанной Лонго транзисторно- транзисторной логики (ТТЛ) — исторически первый тип интегральной логики, сумевший надолго закрепиться на рынке.
В аналоговой схемотехнике прорыв подобного уровня совершил в 1. Fairchild. Боб Видлар. Первая отечественная микросхема была создана в 1. ТРТИ (Таганрогском Радиотехническом Институте) под руководством Л. Колесов был назначен Председателем координационного совета по этой проблеме. Первая в СССР гибридная толстоплёночная интегральная микросхема (серия 2.
Тропа») была разработана в 1. НИИ точной технологии («Ангстрем»), серийное производство с 1. В разработке принимали участие специалисты НИЭМ (ныне НИИ «Аргон»). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС- 1. ИС серии SN- 5. 1 фирмы Texas Instruments).
Образцы- прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились в НИИ- 3. Трутко) и Фрязинским полупроводниковым заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС- 1.
НИИ- 3. 5 три года (с 1. Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1. В 1. 96. 5 году во время визита на ВЗПП министра электронной промышленности А. Шокина заводу было поручено провести научно- исследовательскую работу по созданию кремниевой монолитной схемы — НИР «Титан» (приказ министерства от 1. Тема была успешно сдана Госкомиссии, и серия 1. МЭП от 3. 0. 1. 2.
В настоящее время, в 2. УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом элементов более 1. Также микросборка может включать в себя бескорпусные интегральные микросхемы. Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы.
Вся подложка с компонентами помещается в единый герметизированный корпус. Смешанная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла. Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания. Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения. Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В диапазон напряжения 0.
Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем. Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах — самые экономичные (по потреблению тока). МОП- логика (металл- оксид- полупроводник логика) — микросхемы формируются из полевых транзисторов n- МОП или p- МОП типа; КМОП- логика (комплементарная МОП- логика) — каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n- МОП и p- МОП). Микросхемы на биполярных транзисторах. РТЛ — резисторно- транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); ДТЛ — диодно- транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); ТТЛ — транзисторно- транзисторная логика — микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе; ТТЛШ — транзисторно- транзисторная логика с диодами Шоттки — усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шоттки; ЭСЛ — эмиттерно- связанная логика — на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие; ИИЛ — интегрально- инжекционная логика.
Микросхемы, использующие как полевые, так и биполярные транзисторы. Используя один и тот же тип транзисторов, микросхемы могут создаваться по разным методологиям, например, статической или динамической. КМОП и ТТЛ (ТТЛШ) технологии являются наиболее распространёнными логиками микросхем.
Где необходимо экономить потребление тока, применяют КМОП- технологию, где важнее скорость и не требуется экономия потребляемой мощности применяют ТТЛ- технологию. Слабым местом КМОП- микросхем является уязвимость к статическому электричеству — достаточно коснуться рукой вывода микросхемы, и её целостность уже не гарантируется. С развитием технологий ТТЛ и КМОП микросхемы по параметрам сближаются и, как следствие, например, серия микросхем 1. КМОП, а функциональность и размещение в корпусе как у ТТЛ технологии.
Микросхемы, изготовленные по ЭСЛ- технологии, являются самыми быстрыми, но и наиболее энергопотребляющими, и применялись при производстве вычислительной техники в тех случаях, когда важнейшим параметром была скорость вычисления. В СССР самые производительные ЭВМ типа ЕС1. ЭСЛ- микросхемах. Сейчас эта технология используется редко. При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.